Infineon IHW30N120R5XKSA1, N-Channel IGBT Single Transistor IC, 60 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (5 ชิ้น, ในแพ็คขนาด 5)*

THB728.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB780.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,640 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 260 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 +THB145.79THB728.95

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
226-6078
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IHW30N120R5XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

60A

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

330W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.55V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

25 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

16.13mm

Series

Resonant Switching

Length

42mm

Height

5.21mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Infineon Resonant Switching Series IGBT Single Transistor IC, 1200V Max Collector Emitter Voltage, 60A Max Continuous Collector Current - IHW30N120R5XKSA1


This IGBT single-transistor IC is a three-pin, through-hole power transistor designed for high-voltage switching in resonant converter topologies. It operates across an extended temperature range and is suited to demanding industrial environments where high collector‑emitter voltage and substantial continuous current are required.

Features and Benefits:


• 1200 V collector‑emitter rating enables high-voltage switching capability
• 60 A continuous collector current supports heavy conduction loads
• 1.55 V VCE(sat) delivers low conduction losses during on‑state
• 330 W maximum power dissipation allows high-power handling
• 25 V gate‑emitter maximum protects gate against overdrive

Applications


• Suitable for resonant converter power stages in industrial systems
• Ideal for high-voltage power supplies requiring 1200 V devices
• Used for switch modules needing 60 A continuous capability
• Can be used in thermally stressed environments up to 175 °C
• Suitable for through‑hole assemblies and serviceable power boards

What gate protection limits should be observed?


Keep gate‑emitter excursions within ±25 V to prevent gate breakdown.

How does thermal range affect installation choices?


The device functions from −40 °C to 175 °C so heat‑sinking and airflow must match the upper temperature to maintain safe junction temperatures.

What mounting method is required for reliable operation?


Through‑hole mounting into a PCB or insulated heat‑sink mounting ensures mechanical stability and thermal conduction.

What package and pin count does it provide for board layout?


It is supplied in a TO‑247 package with three pins for standard power board footprints.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง