Infineon IHW30N120R5XKSA1, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 60 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 226-6078
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW30N120R5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB583.54
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB624.39
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,675 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 13 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 20 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 20 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 240 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 27 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 + | THB116.708 | THB583.54 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 226-6078
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW30N120R5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 60A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 330W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.55V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 25 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.21mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 42mm | |
| Series | Resonant Switching | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 60A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 330W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.55V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 25 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.21mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 42mm | ||
Series Resonant Switching | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IHW30N120R5 power full monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only and has high ruggedness, temperature stable behaviour with low VCEsat.
Very tight parameter distribution
Low EMI
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 60 A 1200 V Through Hole
- Infineon IHW30N65R5XKSA1 60 A 650 V Through Hole
- Infineon AIKW30N60CTXKSA1 60 A 600 V Through Hole
- Infineon 60 A 600 V Through Hole
- Infineon 60 A 650 V Through Hole
- Infineon IKY40N120CS6XKSA1 80 A 1200 V Through Hole
- Infineon IHW15N120E1XKSA1 30 A 1200 V Through Hole
- Infineon IKQ75N120CS6XKSA1 150 A 1200 V Through Hole
