Infineon IGBT Single Transistor IC, 75 A 650 V, 3-Pin PG-TO-247
- RS Stock No.:
- 249-6945
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKW75N65RH5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB6,108.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB6,536.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 120 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB203.63 | THB6,108.90 |
| 60 - 60 | THB196.91 | THB5,907.30 |
| 90 + | THB190.412 | THB5,712.36 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-6945
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKW75N65RH5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 395W | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 ±30 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Height | 5.3mm | |
| Length | 41.9mm | |
| Width | 16.3 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 395W | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 ±30 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Height 5.3mm | ||
Length 41.9mm | ||
Width 16.3 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon TRENCHSTOP 5S5 IGBT co-packed with full-rated 6th generation Cool SiCTMS schottky barrier diode. Ultra-low switching losses due to the combination of TRENCHSTOPTM5 and CoolSiCTM technology. Benchmark efficiency in hard switching topologies. Plug-and-play replacement of pure silicon devices. Maximum junction temperature is 175°C
Industrial Power Supplies-Industrial SMPS
Energy Generation
Solar String Inverter
Energy Distribution -Energy Storage
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IKW75N65RH5XKSA1 IGBT Single Transistor IC 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT Single Transistor IC 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT Single Transistor IC 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IGBT Single Transistor IC 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IHW20N120R5XKSA1 IGBT Single Transistor IC 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT Single Transistor IC, 28 A 650 V TO-220
- Infineon IGBT Single Transistor IC, 4 A 600 V PG-SOT223
- Infineon 60 A 600 V Through Hole
