Infineon, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 60 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 226-6077
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW30N120R5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB1,882.77
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,014.56
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 90 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 + | THB62.759 | THB1,882.77 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 226-6077
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW30N120R5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 60A | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 330W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 25 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.55V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 16.13 mm | |
| Length | 42mm | |
| Height | 5.21mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | Resonant Switching | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 60A | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 330W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 25 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.55V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 16.13 mm | ||
Length 42mm | ||
Height 5.21mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series Resonant Switching | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IHW30N120R5 power full monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only and has high ruggedness, temperature stable behaviour with low VCEsat.
Very tight parameter distribution
Low EMI
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IHW30N120R5XKSA1 60 A 1200 V Through Hole
- Infineon 60 A 600 V Through Hole
- Infineon 60 A 650 V Through Hole
- Infineon IHW30N65R5XKSA1 60 A 650 V Through Hole
- Infineon AIKW30N60CTXKSA1 60 A 600 V Through Hole
- Infineon 30 A 1200 V Through Hole
- Infineon 150 A 1200 V Through Hole
- Infineon 80 A 1200 V Through Hole
