Infineon IHW30N120R5XKSA1, N-Channel IGBT Single Transistor IC, 60 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS Stock No.:: 226-6077
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IHW30N120R5XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IHW30N120R5XKSA1, N-Channel IGBT Single Transistor IC, 60 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (30 ชิ้น, ในหลอดขนาด 30)*

THB2,447.58

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,618.91

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

240 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
30 +	THB81.586	THB2,447.58

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 226-6077
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IHW30N120R5XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	IGBT Single Transistor IC
	Maximum Continuous Collector Current Ic	60A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	330W
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	N
	Pin Count	3
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.55V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	25 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Series	Resonant Switching
	Width	16.13mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	5.21mm
	Length	42mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type IGBT Single Transistor IC
	Maximum Continuous Collector Current Ic 60A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 330W
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Channel Type N
	Pin Count 3
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.55V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 25 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Series Resonant Switching
	Width 16.13mm
	Standards/Approvals RoHS
	Height 5.21mm
	Length 42mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IHW30N120R5XKSA1

Infineon Resonant Switching Series IGBT Single Transistor IC, 1200V Max Collector Emitter Voltage, 60A Max Continuous Collector Current - IHW30N120R5XKSA1

This IGBT single-transistor IC is a three-pin, through-hole power transistor designed for high-voltage switching in resonant converter topologies. It operates across an extended temperature range and is suited to demanding industrial environments where high collector‑emitter voltage and substantial continuous current are required.

Features and Benefits:

• 1200 V collector‑emitter rating enables high-voltage switching capability
• 60 A continuous collector current supports heavy conduction loads
• 1.55 V VCE(sat) delivers low conduction losses during on‑state
• 330 W maximum power dissipation allows high-power handling
• 25 V gate‑emitter maximum protects gate against overdrive

Applications

• Suitable for resonant converter power stages in industrial systems
• Ideal for high-voltage power supplies requiring 1200 V devices
• Used for switch modules needing 60 A continuous capability
• Can be used in thermally stressed environments up to 175 °C
• Suitable for through‑hole assemblies and serviceable power boards

What gate protection limits should be observed?

Keep gate‑emitter excursions within ±25 V to prevent gate breakdown.

How does thermal range affect installation choices?

The device functions from −40 °C to 175 °C so heat‑sinking and airflow must match the upper temperature to maintain safe junction temperatures.

What mounting method is required for reliable operation?

Through‑hole mounting into a PCB or insulated heat‑sink mounting ensures mechanical stability and thermal conduction.

What package and pin count does it provide for board layout?

It is supplied in a TO‑247 package with three pins for standard power board footprints.