Infineon IGBT Single Transistor IC, 74 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 215-6608
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIGW40N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB4,829.76
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,167.83
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 150 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | THB160.992 | THB4,829.76 |
| 90 - 120 | THB154.561 | THB4,636.83 |
| 150 + | THB150.533 | THB4,515.99 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-6608
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- AIGW40N65H5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 74A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.66V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 74A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.66V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon high speed H5 technology insulated-gate bipolar transistor offering best-in-class efficiency in hard switching and resonant topologies.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon AIGW40N65H5XKSA1 IGBT Single Transistor IC 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon 74 A 650 V Surface
- Infineon IKB40N65EH5ATMA1 74 A 650 V Surface
- Infineon IKB40N65EF5ATMA1 74 A 650 V Surface
- Infineon 74 A 650 V Surface
- Infineon IGBT Single Transistor IC 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT Single Transistor IC 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IGBT Single Transistor IC, 28 A 650 V TO-220