Infineon, Type N-Channel IGBT, 90 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 215-6674
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKW75N65EH5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB5,511.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,897.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 12 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | THB183.72 | THB5,511.60 |
| 90 - 120 | THB176.379 | THB5,291.37 |
| 150 + | THB171.785 | THB5,153.55 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-6674
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKW75N65EH5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 90A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 395W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Length | 41.42mm | |
| Width | 16.13mm | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 90A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 395W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Length 41.42mm | ||
Width 16.13mm | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon High Speed Fifth Generation Series IGBT, 650V Max Collector Emitter Voltage, 90A Max Continuous Collector Current - IKW75N65EH5XKSA1
This IGBT is a power-switching device designed for high-voltage, high-current applications in industrial electronics. It combines rapid switching capability with robust voltage handling to support inverter and motor-drive topologies. The component is supplied in a through-hole TO-247 package and is manufactured to JEDEC standards for consistent electrical characteristics.
Features and Benefits:
• 650V Vceo rating enables high-voltage inverter designs
• 90A continuous collector current supports heavy motor loads
• 1.65V Vcesat minimises conduction losses at high current
• ±30V gate tolerance allows flexible drive voltages
• 395W power dissipation permits sustained thermal loading
• -40°C to 175°C operating range suits elevated-temperature environments
• 90A continuous collector current supports heavy motor loads
• 1.65V Vcesat minimises conduction losses at high current
• ±30V gate tolerance allows flexible drive voltages
• 395W power dissipation permits sustained thermal loading
• -40°C to 175°C operating range suits elevated-temperature environments
Applications
• Suitable for industrial motor-drive power stages
• Ideal for three-phase inverter output transistors
• Used with power supplies requiring high-current switching
• Can be used for traction and heavy-duty drive assemblies
• Suitable for through-hole prototyping and PCB-mounted modules
• Ideal for three-phase inverter output transistors
• Used with power supplies requiring high-current switching
• Can be used for traction and heavy-duty drive assemblies
• Suitable for through-hole prototyping and PCB-mounted modules
What package characteristics affect thermal transfer?
The TO-247 format provides a large metal backing for heatsink attachment and through-hole leads for secure mounting, allowing efficient conduction of dissipated power to external cooling.
How does the gate voltage limit influence driver selection?
With a maximum gate-emitter rating of ±30V, drivers must keep gate amplitude within this range to prevent device stress while providing adequate drive for fast switching transitions.
What considerations apply for parallel operation of multiple devices?
When sharing current across units, ensure matched Vcesat characteristics and individual gate-drive control
adequate thermal management is required to prevent thermal runaway under unequal load sharing.
How does the device perform under high ambient temperatures?
The specified operating range to 175°C indicates suitability for high-temperature environments, but system-level thermal design must maintain junction temperatures within safe limits given the 395W dissipation capacity.