Infineon IKW75N65EH5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 90 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 215-6675
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKW75N65EH5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB385.95
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB412.966
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 50 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB192.975 | THB385.95 |
| 10 - 98 | THB188.155 | THB376.31 |
| 100 - 248 | THB183.445 | THB366.89 |
| 250 - 498 | THB178.86 | THB357.72 |
| 500 + | THB174.385 | THB348.77 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-6675
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKW75N65EH5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 90A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 395W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 16.13 mm | |
| Length | 41.42mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Series | High Speed Fifth Generation | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 90A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 395W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 16.13 mm | ||
Length 41.42mm | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Series High Speed Fifth Generation | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon insulated-gate bipolar transistor with high speed H5 technology.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference