onsemi ISL9V2040D3ST IGBT, 10 A 450 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB147,840.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB158,190.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB59.136THB147,840.00
5000 - 7500THB57.362THB143,405.00
10000 +THB55.641THB139,102.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
166-3807
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
ISL9V2040D3ST
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

10 A

Maximum Collector Emitter Voltage

450 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±14V

Maximum Power Dissipation

130 W

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

6.73 x 6.22 x 2.39mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง