onsemi, Type N-Channel Ignition IGBT, 21 A 430 V, 3-Pin TO-252, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
166-2138
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
ISL9V3040D3ST
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

Ignition IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

21A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

430V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±10 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

EcoSPARK

Energy Rating

300mJ

Automotive Standard

AEC-Q101

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง