Fairchild Semiconductor ISL9V3040P3, Type N-Channel IGBT, 21 A 430 V, 3-Pin TO-220AB, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB549.45

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB587.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
กำลังจะเลิกผลิต
  • 20 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 1,075 ิชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • 75 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 25 กุมภาพันธ์ 2569
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 10THB109.89THB549.45
15 - 20THB107.144THB535.72
25 +THB105.498THB527.49

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
862-9359
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
ISL9V3040P3
ผู้ผลิต:
Fairchild Semiconductor
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Fairchild Semiconductor

Maximum Continuous Collector Current Ic

21A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

430V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Package Type

TO-220AB

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

15μs

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±10 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

EcoSPARK

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Energy Rating

300mJ

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง

Recently viewed