onsemi ISL9V3040D3ST, Type N-Channel Ignition IGBT, 21 A 430 V, 3-Pin TO-252, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB359.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB385.15

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 620THB71.99THB359.95
625 - 1245THB70.19THB350.95
1250 +THB69.108THB345.54

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
807-8758
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
ISL9V3040D3ST
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current Ic

21A

Product Type

Ignition IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

430V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±10 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

EcoSPARK

Automotive Standard

AEC-Q101

Energy Rating

300mJ

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง