STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 30 A 390 V, 3-Pin TO-252, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB120,870.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB129,330.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB48.348THB120,870.00
5000 - 7500THB46.898THB117,245.00
10000 +THB45.491THB113,727.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
165-6607
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGD18N40LZT4
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

390V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

16 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.7V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC Q101

Height

2.4mm

Length

6.6mm

Series

STGD18N40LZ

Width

6.2 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Energy Rating

180mJ

COO (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง