STMicroelectronics STGWA30HP65FB, N-Channel IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 202-5514
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWA30HP65FB
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB5,643.39
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB6,038.43
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB188.113 | THB5,643.39 |
| 60 - 90 | THB184.024 | THB5,520.72 |
| 120 + | THB179.934 | THB5,398.02 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 202-5514
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWA30HP65FB
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 30A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 260W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 1MHz | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 21.1mm | |
| Height | 5.1mm | |
| Series | STG | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 15.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 30A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 260W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 1MHz | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 21.1mm | ||
Height 5.1mm | ||
Series STG | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 15.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
The STMicroelectronics high speed HB series IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter.
Low thermal resistance
Very fast soft recovery antiparallel diode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STGWA30HP65FB 30 A 650 V Through Hole
- Infineon IKWH30N65WR6XKSA1 30 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW60TS65EHRC11 30 A 650 V Through Hole
- Infineon 30 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW60TS65DGC13 30 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW60TS65GC13 30 A 650 V Through Hole
- Infineon IKP15N65F5XKSA1 30 A 650 V Through Hole
- ROHM RGW60TS65HRC11 30 A 650 V Through Hole