STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 25 A 450 V, 3-Pin TO-252, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB123,707.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB132,367.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB49.483THB123,707.50
5000 - 7500THB47.999THB119,997.50
10000 +THB46.559THB116,397.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
164-6958
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGD20N45LZAG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

25A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

450V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

8.4μs

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

16 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.55V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

Automotive Grade

Length

6.6mm

Width

6.2 mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Height

2.4mm

Energy Rating

300mJ

Automotive Standard

AEC-Q101

This application-specific IGBT utilizes the most Advanced PowerMESH™ technology optimized for Coil driving in the harsh environment of automotive ignition systems. These devices show very low on-state voltage and very high SCIS energy capability over a wide operating temperature range. Moreover, ESD-protected logic level gate input and an integrated gate resistor means no external protection circuitry is required.

SCIS energy of 300 mJ @ TJ = 25 °C

Parts are 100% tested in SCIS

ESD gate-emitter protection

Gate-collector high voltage clamping

Logic level gate drive

Very low saturation voltage

High pulsed current capability

Gate and gate-emitter resistor

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง