STMicroelectronics STGD5NB120SZT4 IGBT, 10 A 1200 V, 3-Pin DPAK (TO-252), Surface Mount

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB111,852.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB119,682.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB44.741THB111,852.50
5000 - 7500THB43.398THB108,495.00
10000 +THB42.096THB105,240.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
165-5304
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGD5NB120SZT4
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

10 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

75 W

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

6.6 x 6.2 x 2.4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Energy Rating

12.68mJ

Gate Capacitance

430pF

Minimum Operating Temperature

-55 °C

COO (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง