STMicroelectronics STGF3NC120HD, Type N-Channel IGBT, 6 A 1200 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

RS Stock No.:: 795-9094
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STGF3NC120HD
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGF3NC120HD, Type N-Channel IGBT, 6 A 1200 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB285.47

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB305.455

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,350 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 10	THB57.094	THB285.47
15 - 20	THB55.666	THB278.33
25 +	THB54.812	THB274.06

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 795-9094
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STGF3NC120HD
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	6A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	25W
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Switching Speed	1MHz
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.8V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	16.4mm
	Length	10.4mm
	Width	4.6 mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 6A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 25W
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 1MHz
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.8V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 16.4mm
	Length 10.4mm
	Width 4.6 mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

STMicroelectronics STGF3NC120HD, Type N-Channel IGBT, 6 A 1200 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง