STMicroelectronics STGYA75H120DF2 IGBT, 150 A 1200 V, 3-Pin Max247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 234-8892
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGYA75H120DF2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB10,189.32
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB10,902.57
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 450 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | THB339.644 | THB10,189.32 |
| 150 - 270 | THB322.664 | THB9,679.92 |
| 300 + | THB306.535 | THB9,196.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 234-8892
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGYA75H120DF2
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current | 150 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 750 W | |
| Package Type | Max247 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current 150 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 750 W | ||
Package Type Max247 | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Maximum junction temperature TJ = 175 °C
5 μs of short-circuit withstand time
VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 A
Tight parameter distribution
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Low thermal resistance
Very fast recovery antiparallel diode
5 μs of short-circuit withstand time
VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 75 A
Tight parameter distribution
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Low thermal resistance
Very fast recovery antiparallel diode
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STGYA75H120DF2 IGBT 3-Pin Max247, Through Hole
- Infineon IKQ75N120CS6XKSA1 Single IGBT 3-Pin PG-TO247
- Infineon IKQ75N120CT2XKSA1 150 A 1200 V Through Hole
- onsemi FGY75T120SWD Single IGBT 3-Pin TO247-3LD, Through Hole
- Infineon FP150R12N3T7BPSA1 3 Phase IGBT 43-Pin Module, Chassis Mount
- Infineon FP150R12KT4BPSA1 3 Phase Bridge IGBT Panel Mount
- Infineon FP150R12N3T7B11BPSA1 IGBT, 150 A 1200 V
- Infineon FP150R12N3T7PB11BPSA1 IGBT, 150 A 1200 V
