IXYS MIXA225PF1200TSF, Type N-Channel IGBT Module, 360 A 1200 V, 11-Pin SimBus F, PCB
- RS Stock No.:
- 124-0710
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MIXA225PF1200TSF
- ผู้ผลิต:
- IXYS
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB4,669.53
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,996.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB4,669.53 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 124-0710
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- MIXA225PF1200TSF
- ผู้ผลิต:
- IXYS
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 360A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1100W | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Package Type | SimBus F | |
| Mount Type | PCB | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 11 | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.8V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Maximum Operating Temperature | -40°C | |
| Series | MIXA225PF1200TSF | |
| Height | 17mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 152mm | |
| Width | 62 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 360A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1100W | ||
Number of Transistors 2 | ||
Package Type SimBus F | ||
Mount Type PCB | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 11 | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.8V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Maximum Operating Temperature -40°C | ||
Series MIXA225PF1200TSF | ||
Height 17mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 152mm | ||
Width 62 mm | ||
Automotive Standard No | ||
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- IXYS 360 A 1200 V PCB
- IXYS 450 A 1200 V PCB
- IXYS MIXA450PF1200TSF 450 A 1200 V PCB
- Semikron Danfoss SEMiX603GB12E4p 1.1 kA 1200 V Surface
- Infineon FF300R12ME4B11BPSA1 450 A 1200 V Clamp
- Mitsubishi Electric CM450DX -24T #300G 450 A 1200 V PCB
- Mitsubishi Electric CM600DX -24T #300G 600 A 1200 V PCB
- Semikron Danfoss SEMiX303GB12E4p 469 A 1200 V Surface
