IXYS MIXA225PF1200TSF, Type N-Channel IGBT Module, 360 A 1200 V, 11-Pin SimBus F, PCB

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB4,669.53

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4,996.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 +THB4,669.53

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
124-0710
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
MIXA225PF1200TSF
ผู้ผลิต:
IXYS
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

IXYS

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

360A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

1100W

Number of Transistors

2

Package Type

SimBus F

Mount Type

PCB

Channel Type

Type N

Pin Count

11

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.8V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Operating Temperature

-40°C

Series

MIXA225PF1200TSF

Height

17mm

Standards/Approvals

No

Length

152mm

Width

62 mm

Automotive Standard

No

IGBT Modules, IXYS


IGBT Discretes & Modules, IXYS


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง