Infineon FF600R12ME4B72BOSA1, N-Channel IGBT Module, 600 A 1200 V, 11-Pin ECONODUAL, Surface

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 10 ชิ้น)*

THB66,467.70

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB71,120.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
10 - 10THB6,646.77THB66,467.70
20 - 30THB6,447.367THB64,473.67
40 +THB6,253.947THB62,539.47

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
218-4340
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FF600R12ME4B72BOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

600A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Number of Transistors

2

Package Type

ECONODUAL

Mount Type

Surface

Channel Type

N

Pin Count

11

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

FF600R12ME4_B72

Width

62mm

Standards/Approvals

No

Length

152mm

Height

20.8mm

Automotive Standard

No

Infineon FF600R12ME4_B72 Series IGBT Module, 1200V Collector-Emitter Voltage, 600A Collector Current - FF600R12ME4B72BOSA1


This IGBT module provides high-voltage switching for demanding power applications, combining dual-transistor topology with a Compact surface-mount ECONODUAL package. It is designed to handle large continuous currents while operating across a wide temperature range, making it suitable for industrial power conversion and motor-control environments.

Features and Benefits:


• 1200 V blocking voltage delivers high-voltage switching capability
• 600 A continuous collector current enables heavy-load handling
• Low VCE(sat) 2.1 V reduces conduction losses during operation
• 20 mW maximum power dissipation minimises internal power loss
• Type N gate-emitter 20 V rating allows standard gate-drive voltages
• Dual-transistor configuration supports half-bridge and inverter topologies

Applications


• Suitable for industrial motor-drive power stages
• Used with high-voltage inverter systems in industry
• Ideal for heavy-current converter modules
• Can be used for power supplies requiring robust switching
• Suitable for traction and large-drive requiring dual switches

What pin configuration does it use for PCB integration?


The device uses an 11-pin layout formatted for surface mounting in an ECONODUAL package.

What are the allowable ambient temperature limits for operation?


It operates reliably between -40 °C and 150 °C maximum operating temperature.

How many transistors are incorporated and what topology does that support?


The module contains two transistors enabling dual-switch arrangements such as half-bridges.

What physical size should I allow for in the assembly layout?


The component measures 152 x 62 x 20.8 mm so allocate corresponding space on the assembly.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง