STMicroelectronics STGWA50M65DF2AG Single IGBT, 119 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

ดู IGBTs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB4,527.81

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4,844.76

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 +THB150.927THB4,527.81

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
215-008
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGWA50M65DF2AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

119 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

576 W

Number of Transistors

1

Configuration

Single

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Minimized tail current
Tight parameter distribution
Safer paralleling

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง