STMicroelectronics STGWA50M65DF2AG, Type N-Channel Single IGBT, 119 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB4,527.81

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB4,844.76

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 +THB150.927THB4,527.81

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
215-008
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGWA50M65DF2AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

119A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

576W

Number of Transistors

1

Configuration

Single

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

20.1mm

Standards/Approvals

No

Width

15.70 to 15.90 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics IGBT developed using an Advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Minimized tail current

Tight parameter distribution

Safer paralleling

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง