STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Single IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 215-030
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- GWA40MS120DF4AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
N
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB293.92
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB314.49
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB293.92 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-030
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- GWA40MS120DF4AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation | 536 W | |
| Configuration | Single | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current 80 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±30V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation 536 W | ||
Configuration Single | ||
Package Type TO-247 | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the MS series IGBTs, which represent an evolution of low-loss M series specifically designed for inverter system thanks to the outstanding short-circuit capability at high bus voltage value. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Safer paralleling
Tight parameter distribution
Safer paralleling
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IKY40N120CS6XKSA1 Single IGBT 3-Pin PG-TO247
- ROHM RGS80TSX2DGC11 Single IGBT 3-Pin TO-247N
- ROHM RGS80TSX2GC11 Single IGBT 3-Pin TO-247N
- onsemi FGH40T120SMD IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IKQ40N120CH3XKSA1 Single IGBT, 80 A 1200 V PG-TO247-3-46
- Infineon IKW40N120H3FKSA1 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- onsemi HGT1S10N120BNST IGBT 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
- onsemi FGH4L40T120LQD IGBT, 80 A 1200 V TO-247
