Infineon BFP720H6327XTSA1 Transistor, 25 mA NPN, 13 V, 4-Pin SOT-343

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB127.815

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB136.755

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 1,260 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
15 - 735THB8.521THB127.82
750 - 1485THB8.309THB124.64
1500 +THB8.181THB122.72

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
897-7282
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFP720H6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

25mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

13V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

13V

Minimum DC Current Gain hFE

160

Maximum Transition Frequency ft

45GHz

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

100mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

150°C

Pin Count

4

Series

BFP720

Length

2mm

Width

2.1 mm

Standards/Approvals

No

Height

0.9mm

Automotive Standard

No

SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon


A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.

Bipolar Transistors, Infineon


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง