Infineon RF Bipolar Transistor, 40 mA NPN, 4.5 V, 4-Pin SOT-343

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB266.40

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB285.05

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 2,725 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB10.656THB266.40
50 - 75THB10.45THB261.25
100 - 225THB9.751THB243.78
250 - 975THB9.001THB225.03
1000 +THB8.82THB220.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
273-7298
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFP410H6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

40mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

4.5V

Package Type

SOT-343

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

NPN

Maximum Collector Base Voltage VCBO

13V

Transistor Polarity

NPN

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

1.5V

Minimum DC Current Gain hFE

60

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

150mW

Maximum Transition Frequency ft

25GHz

Pin Count

4

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Series

BFP

Automotive Standard

No

The Infineon NPN RF bipolar transistor is a low noise device based on a grounded emitter that is part of Infineon established fourth generation RF bipolar transistor family. Its transition frequency fT of 25 GHz and low current characteristics make the device suitable for high frequency oscillators. It remains cost competitive without compromising on ease of use.

High gain

Minimum noise figure

Suitable for broadband low noise amplifiers

LNAs for sub 1 GHz ISM band applications

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง