Infineon BFP410H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 40 mA NPN, 4.5 V, 4-Pin SOT-343
- RS Stock No.:
- 273-7297
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP410H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB24,537.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB26,256.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB8.179 | THB24,537.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7297
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP410H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 40mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 4.5V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 13V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150mW | |
| Maximum Transition Frequency ft | 25GHz | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 60 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.5V | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Series | BFP | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 40mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 4.5V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 13V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150mW | ||
Maximum Transition Frequency ft 25GHz | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 60 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.5V | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Series BFP | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon NPN RF bipolar transistor is a low noise device based on a grounded emitter that is part of Infineon established fourth generation RF bipolar transistor family. Its transition frequency fT of 25 GHz and low current characteristics make the device suitable for high frequency oscillators. It remains cost competitive without compromising on ease of use.
High gain
Minimum noise figure
Suitable for broadband low noise amplifiers
LNAs for sub 1 GHz ISM band applications
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon RF Bipolar Transistor 4.5 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 4.5 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon Broadband RF Bipolar Transistor 4.5 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP450H6327XTSA1 Broadband RF Bipolar Transistor 4.5 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP420H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 4.5 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 4.1 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 10 V, 4-Pin SOT-343