Infineon BFP183E7764HTSA1 Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor, 65 mA, 20 V, 4-Pin SOT-143
- RS Stock No.:
- 273-7292
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP183E7764HTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB13,308.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB14,241.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 + | THB4.436 | THB13,308.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-7292
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP183E7764HTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 65mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-143 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Maximum Transition Frequency ft | 8GHz | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 250mW | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Series | BFP183 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 65mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-143 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Maximum Transition Frequency ft 8GHz | ||
Maximum Power Dissipation Pd 250mW | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Series BFP183 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Silicon Bipolar RF Transistor is designed for low noise, high gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA. This RF transistor has qualification report according to AEC Q101.
Pb free package
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 20 V, 4-Pin SOT-143
- Infineon BFR93AWH6327XTSA1 Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 20 V, 3-Pin SOT-323
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP183WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
- Maxim Integrated RF Amplifier Low Noise 18.3 dB, 4-Pin 500 MHz SOT-143
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 6-Pin SOT-363
- Infineon BFS483H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 6-Pin SOT-363