Infineon BFP640H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 4.1 V, 4-Pin SOT-343
- RS Stock No.:
- 259-1442
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-40-488
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP640H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB338.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB361.875
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,250 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | THB13.528 | THB338.20 |
| 50 - 75 | THB13.122 | THB328.05 |
| 100 - 225 | THB12.597 | THB314.93 |
| 250 - 975 | THB11.967 | THB299.18 |
| 1000 + | THB11.249 | THB281.23 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 259-1442
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-40-488
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP640H6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 50mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 4.1V | |
| Package Type | SOT-343 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 13V | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 110 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.2V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 42GHz | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200mW | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 2mm | |
| Height | 0.9mm | |
| Series | BFP | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 50mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 4.1V | ||
Package Type SOT-343 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 13V | ||
Minimum DC Current Gain hFE 110 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.2V | ||
Maximum Transition Frequency ft 42GHz | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200mW | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 2mm | ||
Height 0.9mm | ||
Series BFP | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon silicon germanium carbon (SiGe:C) NPN heterojunction wideband bipolar RF transistor (HBT) in a plastic dual emitter standard package with visible leads. The device is fitted with internal protection circuits, which enhance robustness against ESD and high RF input power strongly. The device combines robustness with very high RF gain and lowest noise figure at low operation current for use in a wide range of wireless applications. The BFP640ESD is especially well-suited for portable battery-powered applications in which reduced power consumption is a key requirement. Device design supports collector voltages up to 4.1 V.
Robust high performance low noise amplifier based on Infineon's reliable
2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits
High maximum RF input power of 21 dBm