Infineon BFP640H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 4.1 V, 4-Pin SOT-343

RS Stock No.:: 259-1442
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-40-488
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFP640H6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon BFP640H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 4.1 V, 4-Pin SOT-343

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB338.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB361.875

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 5,300 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 03 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
25 - 25	THB13.528	THB338.20
50 - 75	THB13.122	THB328.05
100 - 225	THB12.597	THB314.93
250 - 975	THB11.967	THB299.18
1000 +	THB11.249	THB281.23

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 259-1442
Distrelec หมายเลขบทความ:: 304-40-488
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BFP640H6327XTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc	50mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	4.1V
	Package Type	SOT-343
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO	13V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Polarity	NPN
	Minimum DC Current Gain hFE	110
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	200mW
	Maximum Transition Frequency ft	42GHz
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Pin Count	4
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	0.9mm
	Series	BFP
	Width	2.1 mm
	Length	2mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type RF Bipolar Transistor
	Maximum DC Collector Current Idc 50mA
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 4.1V
	Package Type SOT-343
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration NPN
	Maximum Collector Base Voltage VCBO 13V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Transistor Polarity NPN
	Minimum DC Current Gain hFE 110
	Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 200mW
	Maximum Transition Frequency ft 42GHz
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Pin Count 4
	Standards/Approvals RoHS
	Height 0.9mm
	Series BFP
	Width 2.1 mm
	Length 2mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - BFP640ESDH6327XTSA1

The Infineon silicon germanium carbon (SiGe:C) NPN heterojunction wideband bipolar RF transistor (HBT) in a plastic dual emitter standard package with visible leads. The device is fitted with internal protection circuits, which enhance robustness against ESD and high RF input power strongly. The device combines robustness with very high RF gain and lowest noise figure at low operation current for use in a wide range of wireless applications. The BFP640ESD is especially well-suited for portable battery-powered applications in which reduced power consumption is a key requirement. Device design supports collector voltages up to 4.1 V.

Robust high performance low noise amplifier based on Infineon's reliable

2 kV ESD robustness (HBM) due to integrated protection circuits

High maximum RF input power of 21 dBm

Infineon BFP640H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 4.1 V, 4-Pin SOT-343

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง