Infineon BFR740L3RHE6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 40 mA NPN, 4 V, 4-Pin TSLP

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู Bipolar Transistors ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 15 ชิ้น)*

THB267.375

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB286.095

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 14,475 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
15 - 15THB17.825THB267.38
30 - 75THB17.29THB259.35
90 - 225THB16.772THB251.58
240 - 465THB16.269THB244.04
480 +THB15.781THB236.72

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
219-5959
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BFR740L3RHE6327XTSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

NPN RF Bipolar Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

40mA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

4V

Package Type

TSLP

Mount Type

Surface

Maximum Collector Base Voltage VCBO

13V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Transition Frequency ft

42GHz

Maximum Power Dissipation Pd

160mW

Transistor Polarity

NPN

Minimum DC Current Gain hFE

160

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

1.2V

Pin Count

4

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Series

BFR740L3RH

Automotive Standard

No

The Infineon BFP740L3RH is a Silicon Germanium Carbon (SiGe:C) NPN Heterojunction wideband Bipolar RF Transistor (HBT).

Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz, 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA

High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA

Low profile and small form factor leadless package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง