Infineon NPN RF Bipolar Transistor, 40 mA NPN, 4 V, 4-Pin TSLP
- RS Stock No.:
- 219-5958
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFR740L3RHE6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 15000 ชิ้น)*
THB325,365.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB348,135.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 15000 - 15000 | THB21.691 | THB325,365.00 |
| 30000 - 30000 | THB20.856 | THB312,840.00 |
| 45000 + | THB20.592 | THB308,880.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 219-5958
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFR740L3RHE6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | NPN RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 40mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 4V | |
| Package Type | TSLP | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 13V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 160 | |
| Maximum Transition Frequency ft | 42GHz | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 160mW | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC47/20/22 | |
| Series | BFR740L3RH | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type NPN RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 40mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 4V | ||
Package Type TSLP | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 13V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Minimum DC Current Gain hFE 160 | ||
Maximum Transition Frequency ft 42GHz | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 160mW | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals JEDEC47/20/22 | ||
Series BFR740L3RH | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon BFP740L3RH is a Silicon Germanium Carbon (SiGe:C) NPN Heterojunction wideband Bipolar RF Transistor (HBT).
Low noise figure NFmin = 0.5 dB at 1.9 GHz, 0.8 dB at 5.5 GHz, 3 V, 6 mA
High power gain Gms = 20 dB at 5.5 GHz, 3 V, 15 mA
Low profile and small form factor leadless package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BFR740L3RHE6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin TSLP
- Infineon NPN RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin TSFP
- Infineon BFP640FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin TSFP
- Infineon BF776H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP620H7764XTSA1 RF Bipolar Transistor 80 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP760H6327XTSA1 Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin SOT-343