Infineon BFP640FH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA NPN, 4 V, 4-Pin TSFP
- RS Stock No.:
- 216-8352
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP640FH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*
THB513.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB549.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 2,600 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 50 - 700 | THB10.27 | THB513.50 |
| 750 - 1450 | THB10.013 | THB500.65 |
| 1500 + | THB9.859 | THB492.95 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 216-8352
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BFP640FH6327XTSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | NPN RF Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 50mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 4V | |
| Package Type | TSFP | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 13V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200mW | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 1.2V | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 110 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Transition Frequency ft | 42GHz | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Series | BFP640F | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type NPN RF Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 50mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 4V | ||
Package Type TSFP | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 13V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 200mW | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 1.2V | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 110 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Transition Frequency ft 42GHz | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Series BFP640F | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon BFP series is a RF bipolar transistor based on silicon germanium technology. Its transition frequency of 42 GHz and high linearity characteristics at low currents make the device suitable for energy efficiency designs at frequency as high as 8 GHz. It remains cost competitive without compromising on ease of use.
Provides outstanding performance for a wide range of wireless applications
Ideal for CDMA and WLAN applications
High maximum stable gain
Gold metallization for extra high reliability
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon NPN RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin TSFP
- Infineon BFP520H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 10 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon RF Bipolar Transistor 10 V, 4-Pin TSFP-4-1
- Infineon BF776H6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon NPN RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin TSLP
- Infineon BFR740L3RHE6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor 4 V, 4-Pin TSLP
- Infineon RF Bipolar Transistor 15 V, 4-Pin TSFP-4-1