Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 4.3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2362ES-T1_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
180-8108
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SQ2362ES-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-23

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

75mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.6nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

3.04mm

Height

1.12mm

Width

2.64 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 60V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 95mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 3W and continuous drain current of 4.3A. It has a driving voltage of 10V. It is used in automotive applications. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

Certifications


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง