Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 33 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP140NPBF

RS Stock No.:: 541-1269
Distrelec หมายเลขบทความ:: 303-41-344
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFP140NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 33 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP140NPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB94.34

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB100.94

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

491 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 6	THB94.34
7 - 12	THB91.97
13 +	THB90.57

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 541-1269
Distrelec หมายเลขบทความ:: 303-41-344
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFP140NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-247
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	52mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	140W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	94nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	15.9mm
	Standards/Approvals	No
	Height	20.3mm
	Width	5.3 mm
	Automotive Standard	No
	Distrelec Product Id	30341344

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 33A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-247
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 140W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 94nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 15.9mm
	Standards/Approvals No
	Height 20.3mm
	Width 5.3 mm
	Automotive Standard No
	Distrelec Product Id 30341344

Infineon HEXFET Series MOSFET, 33A Maximum Continuous Drain Current, 140W Maximum Power Dissipation - IRFP140NPBF

This MOSFET plays a crucial role in improving efficiency and performance across various electronic applications. It is designed to accommodate high currents and voltages, offering dependable power management solutions in automation systems, electronics, and mechanical industries. Its ability to function under extreme conditions ensures versatility in numerous applications.

Features & Benefits

• Maximum continuous drain current of 33A for enhanced load capabilities

• Drain-source voltage rating of up to 100V for effective performance

• Low maximum drain-source resistance of 52 mΩ for efficient operation

• Designed for power dissipation of 140W to manage thermal conditions

• Typical gate charge of 94 nC at 10V for rapid switching speeds

Applications

• Reliable use in switching power supplies

• Motor control for accurate operation

• High current in power conversion systems

• Integration into power amplifiers for improved signal amplification

What is the maximum voltage this component can handle?

It withstands a maximum drain-source voltage of 100V, suitable for high-voltage applications.

How does the gate charge affect the operation?

A typical gate charge of 94 nC at 10V facilitates faster switching, enhancing circuit efficiency.

What are the thermal characteristics of this component?

It operates effectively between -55°C and +175°C, ensuring reliability in different environments.

Can this component be used in automation projects?

Yes, its high continuous current capacity and voltage ratings are ideal for various automation applications.

How does the low RDS(on) enhance its performance?

The low maximum drain-source resistance helps to reduce conduction losses, leading to more energy-efficient operation.