STMicroelectronics 650 V 10 A Diode 2-Pin PowerFLAT STPSC10H065DLF
- RS Stock No.:
- 203-3485
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC10H065DLF
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB772.84
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB826.94
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 435 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 745 | THB154.568 | THB772.84 |
| 750 - 1495 | THB150.704 | THB753.52 |
| 1500 + | THB148.386 | THB741.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 203-3485
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STPSC10H065DLF
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Diode | |
| Mount Type | Surface | |
| Package Type | PowerFLAT | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 10A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Diode Configuration | Single | |
| Pin Count | 2 | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 850A | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.95V | |
| Peak Reverse Current Ir | 85μA | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 0.75mm | |
| Length | 7.9mm | |
| Width | 7.9 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Diode | ||
Mount Type Surface | ||
Package Type PowerFLAT | ||
Maximum Continuous Forward Current If 10A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Diode Configuration Single | ||
Pin Count 2 | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 850A | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.95V | ||
Peak Reverse Current Ir 85μA | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 0.75mm | ||
Length 7.9mm | ||
Width 7.9 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode, manufactured using a silicon carbide substrate. It has a wide band gap material that allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. No recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature, due to the schottky construction.
Less than 1 mm height package
High creep age package
No or negligible reverse recovery
Temperature independent switching behaviour
High forward surge capability
Very low drop forward voltage
Power efficient product
ECOPACK2 compliant component
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics 650 V 10 A Diode 2-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics 650 V 210 A Diode Schottky 5-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics 650 V 8 A Diode 5-Pin PowerFLAT
- STMicroelectronics 650 V 6 A Diode 5-Pin PowerFlat HV
- STMicroelectronics 650 V 8 A Diode 5-Pin PowerFLAT STPSC8H065DLF
- STMicroelectronics 650 V 210 A Diode Schottky 5-Pin PowerFLAT STPSC10065DLF
- STMicroelectronics 650 V 6 A Diode 5-Pin PowerFlat HV STPSC6H065DLF
- STMicroelectronics 650 V 10 A Schottky Diode Schottky 2-Pin TO-220AC