DiodesZetex Common Drain 2 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 24 V Enhancement, 4-Pin DMN2023UCB4-7
- RS Stock No.:
- 921-1066
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN2023UCB4-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB377.86
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB404.32
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 13 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | THB18.893 | THB377.86 |
| 760 - 1480 | THB18.421 | THB368.42 |
| 1500 + | THB18.138 | THB362.76 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 921-1066
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN2023UCB4-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 24V | |
| Pin Count | 4 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -12/12 V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.45W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Common Drain | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.24mm | |
| Width | 1.8 mm | |
| Length | 1.8mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 24V | ||
Pin Count 4 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -12/12 V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.45W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Common Drain | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.24mm | ||
Width 1.8 mm | ||
Length 1.8mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Common Drain TrenchFET 3 Type P 30 A 10-Pin Triple Die
- Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET 24 V, 4-Pin X1-WLB1818 DMN2023UCB4-7
- ROHM BSM 2 Type N-Channel SiC Power Module Enhancement, 4-Pin BSM180D12P3C007
- ROHM BSM 2 Type N-Channel SiC Power Module 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM300D12P2E001
- Vishay SQJQ936EL 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin 8x8L SQJQ936EL-T1_GE3
- Vishay SQJ740EP 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8L SQJ740EP-T1_GE3
