Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 36 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 919-4882
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRL540NPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB1,301.05
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,392.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 350 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 450 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB26.021 | THB1,301.05 |
| 100 - 150 | THB25.455 | THB1,272.75 |
| 200 + | THB24.889 | THB1,244.45 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 919-4882
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRL540NPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 36A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 44mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 74nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 140W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 8.77mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.54mm | |
| Width | 4.69 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 36A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 44mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 74nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 140W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 8.77mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.54mm | ||
Width 4.69 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Infineon HEXFET Series MOSFET, 36A Maximum Continuous Drain Current, 140W Maximum Power Dissipation - IRL540NPBF
This MOSFET is an essential component for high-performance circuits, designed to effectively handle high current and voltage applications. It operates with a maximum drain-source voltage of 100V, making it suitable for rigorous environments in automation and electronic systems. Its strong performance and dependable operation enhance efficiency across various electrical systems.
Features & Benefits
• Continuous drain current capability of 36A for demanding applications
• Low Rds(on) of 44mΩ minimises power losses during operation
• Enhancement mode design improves switching characteristics for efficiency
• Power dissipation rating of up to 140W accommodates high-performance scenarios
• Operating temperature range from -55°C to +175°C allows versatility
• Through hole mounting facilitates easy integration into existing systems
Applications
• Power management in industrial automation systems
• Electric motor control in robotics
• DC-DC converters in renewable energy systems
• Power supplies requiring efficient switching functionality
• Consumer electronics for effective power distribution
What are the maximum voltage and current ratings?
The maximum drain-source voltage is 100V, with a continuous drain current of 36A.
How does the low Rds(on) improve performance?
A low Rds(on) of 44mΩ results in minimal power dissipation, enhancing efficiency and reducing thermal load.
What is the significance of the enhancement mode?
This mode allows for improved control over operation, enabling efficient switching and application versatility.
Can it be used in high-temperature environments?
Yes, it operates effectively at temperatures from -55°C to +175°C, suitable for extreme conditions.
How should it be mounted for optimal performance?
It is designed for through hole mounting, ensuring secure installation and connectivity in circuits.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRL540NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 AUIRF540Z
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF540ZPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRL540NSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
