Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 29 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 919-4766
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFZ34NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 29 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB1,153.45

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,234.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 250 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB23.069	THB1,153.45
100 - 150	THB22.567	THB1,128.35
200 +	THB22.066	THB1,103.30

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 919-4766
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFZ34NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	68W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.54mm
	Width	4.4 mm
	Height	8.77mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 29A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 68W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.54mm
	Width 4.4 mm
	Height 8.77mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 29A Maximum Continuous Drain Current, 68W Maximum Power Dissipation - IRFZ34NPBF

This MOSFET is tailored for advanced electronic applications, particularly where high efficiency and dependability are essential. Its N-channel configuration facilitates efficient switching and modulation of electrical currents in power systems. With a maximum drain-source voltage of 55V and a continuous drain current of 29A, this component is crucial for high-performance designs in the automation and electrical sectors.

Features & Benefits

• Ultra-low on-resistance for minimal power loss

• Maximum power dissipation of 68W for robust functionality

• High-temperature tolerance of up to 175°C ensures long-term performance

• Compatible with through-hole mounting for easy integration

• Dynamic dv/dt rating allows for fast switching applications

• Enhancement mode transistor improves device efficiency

Applications

• Utilised in power supply designs for effective energy management

• Employed in motor control for accurate speed regulation

• Suitable for discrete switching in consumer electronics

• Applied in industrial automation to enhance system dependability

• Appropriate for automotive requiring high power handling

What is the maximum continuous drain current at 100°C?

At 100°C, the continuous drain current is rated at 20A, ensuring dependability in high-temperature conditions.

How does the low on-resistance benefit circuit efficiency?

A low RDS(on) decreases power losses during operation, which increases overall circuit efficiency and minimises heat generation.

Can it be used for parallel configurations?

Yes, the design accommodates easy paralleling, enhancing current handling for high-power applications.

What are the implications of the maximum gate-source voltage?

The maximum gate-source voltage of ±20V ensures safe operation and protects against damage during standard switching activities.

What is the impact of temperature on performance?

With an operating temperature range from -55°C to +175°C, it maintains operational integrity in extreme conditions, making it suitable for a variety of applications.