onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS6576

RS Stock No.:: 917-5487
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDS6576
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS6576

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 630 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB456.69

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB488.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

14,120 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
10 - 620	THB45.669	THB456.69	-
630 - 1240	THB44.527	THB445.27	2%
1250 +	THB43.841	THB438.41	4%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 917-5487
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDS6576
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SOIC
	Series	PowerTrench
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.014Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-12V, +12V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	43nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.5mm
	Width	4mm
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Length	5mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 11A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SOIC
	Series PowerTrench
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.014Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -12V, +12V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 43nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.5mm
	Width 4mm
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Length 5mm
	Automotive Standard No

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS6576

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง