onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 8.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- RS Stock No.:
- 166-3246
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4435DY
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB51,157.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB54,737.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,500 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB20.463 | THB51,157.50 |
| 5000 - 7500 | THB19.849 | THB49,622.50 |
| 10000 + | THB19.254 | THB48,135.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 166-3246
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI4435DY
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | PowerTrench | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Solder | |
| Pin Count | 8 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 4.9mm | |
| Width | 3.9 mm | |
| Height | 1.57mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series PowerTrench | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Solder | ||
Pin Count 8 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 4.9mm | ||
Width 3.9 mm | ||
Height 1.57mm | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4435DY
- onsemi FDS Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi FDS Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS4435BZ
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
