onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 11 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ขาดตลาด
เนื่องจากการขาดแคลนสินค้าทั่วโลก เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
166-2610
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FDS6675BZ
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

PowerTrench

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

13mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

44nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.5mm

Length

5mm

Automotive Standard

No

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi


ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง