Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRLZ34NSTRLPBF
- RS Stock No.:
- 915-5112
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-44-481
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLZ34NSTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 200 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB178.20
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB712.90
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB762.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 780 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 20 - 180 | THB35.645 | THB712.90 | - |
| 200 - 380 | THB34.754 | THB695.08 | THB178.20 |
| 400 + | THB34.219 | THB684.38 | THB570.40 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 915-5112
- Distrelec หมายเลขบทความ:
- 304-44-481
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRLZ34NSTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 68W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -16V, +16V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 11.3mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 68W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -16V, +16V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 11.3mm | ||
Length 10.67mm | ||
Height 4.83mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 30A Maximum Continuous Drain Current, 68W Maximum Power Dissipation - IRLZ34NSTRLPBF
Features & Benefits
Applications
What is the maximum continuous current this component can handle?
How does this MOSFET manage thermal performance?
Can it be used in automotive applications?
What type of circuit configurations can it support?
Is it compatible with surface mount circuit designs?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRLZ34NSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLZ34NPBF
- Infineon HEXFET N-Channel Automotive MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRFR4105ZTRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel Automotive MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPD26N06S2L35ATMA2
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252
