Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB13,885.60

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB14,857.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,600 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
800 - 800THB17.357THB13,885.60
1600 - 2400THB16.836THB13,468.80
3200 +THB16.331THB13,064.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
145-8936
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRLZ34NSTRLPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

10.67mm

Width

11.3 mm

Height

4.83mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 30A Maximum Continuous Drain Current, 68W Maximum Power Dissipation - IRLZ34NSTRLPBF


This high-performance N-channel MOSFET facilitates efficient switching and amplification in various electrical applications. With a continuous drain current capacity of 30A and a maximum drain-source voltage of 55V, it suits automotive, industrial, and consumer electronics applications. Its surface mount design simplifies integration into modern circuit boards, making it a key component for effective power management.

Features & Benefits


• Low gate threshold voltage for enhanced switching speed

• Low RDS(on) for efficient power dissipation

• High thermal resistance allows operation at elevated temperatures

• Maximum power dissipation of 68 W contributes to durability

• Surface mount technology supports Compact designs

• Efficient drive with capable high gate charge at 5V

Applications


• Power supply circuits for effective voltage regulation

• Motor control requiring swift switching

• DC-DC converters for improved efficiency

• Precision instrumentation for dependable performance

• Automotive with high reliability demands

What is the maximum continuous current this component can handle?


The device can handle a maximum continuous drain current of 30A.

How does this MOSFET manage thermal performance?


It operates at a maximum temperature of +175 °C, ensuring reliability in high-temperature environments.

Can it be used in automotive applications?


Yes, its robust construction and high-temperature tolerance make it suitable for various automotive circuits.

What type of circuit configurations can it support?


The MOSFET supports enhancement mode transistor configurations, Ideal for switching applications.

Is it compatible with surface mount circuit designs?


Yes, the D2PAK (TO-263) package type allows easy integration into surface mount applications and facilitates simple placement on circuit boards.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง