Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRLZ34NSTRLPBF

RS Stock No.:: 145-8936
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLZ34NSTRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRLZ34NSTRLPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 1600 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,043.20

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*

THB17,400.80

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB18,619.20

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*	การประหยัด
800 - 800	THB21.751	THB17,400.80	-
1600 - 2400	THB21.099	THB16,879.20	THB1,043.20
3200 +	THB20.466	THB16,372.80	THB4,112.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 145-8936
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLZ34NSTRLPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	60mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	68W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-16V, +16V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.67mm
	Height	4.83mm
	Width	11.3mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 68W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -16V, +16V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.67mm
	Height 4.83mm
	Width 11.3mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

Infineon HEXFET Series MOSFET, 30A Maximum Continuous Drain Current, 68W Maximum Power Dissipation - IRLZ34NSTRLPBF

This high-performance N-channel MOSFET facilitates efficient switching and amplification in various electrical applications. With a continuous drain current capacity of 30A and a maximum drain-source voltage of 55V, it suits automotive, industrial, and consumer electronics applications. Its surface mount design simplifies integration into modern circuit boards, making it a key component for effective power management.

Features & Benefits

• Low gate threshold voltage for enhanced switching speed

• Low RDS(on) for efficient power dissipation

• High thermal resistance allows operation at elevated temperatures

• Maximum power dissipation of 68 W contributes to durability

• Surface mount technology supports Compact designs

• Efficient drive with capable high gate charge at 5V

Applications

• Power supply circuits for effective voltage regulation

• Motor control requiring swift switching

• DC-DC converters for improved efficiency

• Precision instrumentation for dependable performance

• Automotive with high reliability demands

What is the maximum continuous current this component can handle?

The device can handle a maximum continuous drain current of 30A.

How does this MOSFET manage thermal performance?

It operates at a maximum temperature of +175 °C, ensuring reliability in high-temperature environments.

Can it be used in automotive applications?

Yes, its robust construction and high-temperature tolerance make it suitable for various automotive circuits.

What type of circuit configurations can it support?

The MOSFET supports enhancement mode transistor configurations, Ideal for switching applications.

Is it compatible with surface mount circuit designs?

Yes, the D2PAK (TO-263) package type allows easy integration into surface mount applications and facilitates simple placement on circuit boards.