Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLZ34NPBF

RS Stock No.:: 541-1247
Distrelec หมายเลขบทความ:: 303-41-411
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLZ34NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 30 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRLZ34NPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB36.22

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB38.76

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

211 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 400 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 2,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 12	THB36.22
13 - 24	THB35.31
25 +	THB34.76

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 541-1247
Distrelec หมายเลขบทความ:: 303-41-411
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLZ34NPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	55V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	35mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16 V
	Maximum Power Dissipation Pd	68W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	8.77mm
	Width	4.69 mm
	Length	10.54mm
	Distrelec Product Id	30341411
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 55V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 35mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V
	Maximum Power Dissipation Pd 68W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 8.77mm
	Width 4.69 mm
	Length 10.54mm
	Distrelec Product Id 30341411
	Automotive Standard No

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

Infineon HEXFET Series MOSFET, 30A Maximum Continuous Drain Current, 68W Maximum Power Dissipation - IRLZ34NPBF

This high-performance N-channel MOSFET is designed for efficiency in various electronic applications. It has a maximum continuous drain current of 30A and can handle drain-source voltages of up to 55V. The enhanced mode capability ensures operation under various conditions, making it a valuable component for power management across different sectors.

Features & Benefits

• Low on-resistance of 35mΩ reduces power loss

• High power dissipation capability of 68W enhances performance

• Operating temperature range from -55°C to +175°C ensures versatility

• Typical gate charge of 25nC at 5V enables faster switching

• Compact TO-220AB package enables efficient PCB layout

Applications

• Utilised in DC-DC converters for efficient power conversion

• Appropriate for motor driver circuits in industrial automation

• Effective in power management systems for renewable energy

• Used in high-speed switching for telecommunications

What is the maximum gate-source voltage?

The device can withstand a maximum gate-source voltage of ±16V, ensuring safe operation in various circuits.

How does temperature affect its performance?

The MOSFET operates efficiently across a temperature range from -55°C to +175°C, maintaining stability in extreme conditions.

Can it be used in high-frequency applications?

Yes, it is designed with a typical gate charge of 25nC at 5V, making it suitable for high-frequency applications such as RF amplifiers.

What are the implications of low Rds(on)?

A lower Rds(on) value significantly reduces heat generation and power losses, improving overall efficiency in power supply designs.

Is it compatible with various electronic circuits?

This device is versatile and can be integrated into different circuit configurations, including automotive and industrial power electronics.