Infineon BSC500N20NS3 G N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC500N20NS3GATMA1
- RS Stock No.:
- 170-2304
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC500N20NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 10000 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB10,100.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB168,315.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB180,095.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 5,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 21 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB33.663 | THB168,315.00 | - |
| 10000 - 15000 | THB32.653 | THB163,265.00 | THB10,100.00 |
| 20000 + | THB31.674 | THB158,370.00 | THB39,780.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 170-2304
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC500N20NS3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | BSC500N20NS3 G | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 50mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 96W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 6.35mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5.35mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series BSC500N20NS3 G | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 50mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 96W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 6.35mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5.35mm | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSC500N20NS3 G N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC500N20NS3GATMA1
- Infineon BSC050N04LS G N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC050N04LSGATMA1
- Infineon BSC12DN20NS3 G N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC12DN20NS3GATMA1
- Infineon BSZ12DN20NS3 G N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8
- Infineon BSZ12DN20NS3 G N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 BSZ12DN20NS3GATMA1
- Infineon ISC N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC320N12LM6ATMA1
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET & Diode 300 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
