Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 210 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 913-3960
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB3077PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 210 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 100 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB234.40

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB5,392.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB5,769.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

1,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*	การประหยัด
50 - 50	THB107.84	THB5,392.00	-
100 - 150	THB105.496	THB5,274.80	THB234.40
200 +	THB103.151	THB5,157.55	THB937.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 913-3960
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB3077PBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	210A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	75V
	Package Type	TO-220
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	160nC
	Maximum Power Dissipation Pd	370W
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	9.02mm
	Width	4.82mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.66mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 210A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 75V
	Package Type TO-220
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 160nC
	Maximum Power Dissipation Pd 370W
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 9.02mm
	Width 4.82mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.66mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: MX

Infineon HEXFET Series MOSFET, 210A Maximum Continuous Drain Current, 75V Maximum Drain Source Voltage - IRFB3077PBF

This MOSFET is a high-performance power electronics component suitable for various demanding applications. Designed using Si MOSFET technology, it features a TO-220AB MOSFET package that enables effective thermal management. With a maximum continuous drain current of 210A and a maximum drain-source voltage of 75V, it excels in high-current applications while ensuring reliable performance under tough conditions.

Features & Benefits

• Achieves low RDS(on) of 3.3mΩ for efficient operation

• Designed for enhancement mode, supporting robust applications

• High maximum power dissipation of 370W optimises device longevity

• Improved avalanche and dynamic dV/dt ruggedness ensures safety

• Fully characterised capacitance, enhancing switching performance

• Suitable for high-speed power switching with excellent thermal stability

Applications

• Utilised in high-efficiency synchronous rectification systems

• Ideal for uninterruptible power supply configurations

• Effective in hard switched and high-frequency circuits

• Facilitates efficient power management in industrial automation systems

• Supports various power supply designs in electrical and mechanical

What operating temperature range can this component endure?

It operates reliably within a temperature range of -55°C to +175°C, making it suitable for a wide variety of environments.

How does the low RDS(on) benefit the application?

The low RDS(on) significantly reduces power loss during operation, which enhances energy efficiency and thermal performance in applications requiring high current flow.

What are the advantages of the TO-220AB package format?

This package format ensures better heat dissipation and easier installation, particularly in through-hole mounting scenarios, promoting robust circuit designs.

What type of gate threshold voltage does it require?

The component supports a gate threshold voltage ranging between 2V and 4V, allowing for compatibility with various control circuits.