Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET, 83 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP111N15N3GXKSA1
- RS Stock No.:
- 897-7412
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP111N15N3GXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 12 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB48.62
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 4 ชิ้น)*
THB648.36
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB693.76
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 272 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 4 - 8 | THB162.09 | THB648.36 | - |
| 12 - 20 | THB158.038 | THB632.15 | THB48.62 |
| 24 + | THB155.608 | THB622.43 | THB155.57 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 897-7412
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPP111N15N3GXKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 83A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11.3mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 214W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 15.95mm | |
| Length | 10.36mm | |
| Width | 4.57mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 83A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11.3mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 214W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 15.95mm | ||
Length 10.36mm | ||
Width 4.57mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 83A Maximum Continuous Drain Current, 214W Maximum Power Dissipation - IPP111N15N3GXKSA1
Features & Benefits
Applications
Can this be used in industrial automation systems?
What are the benefits of using this component in power supplies?
How does this perform under extreme temperatures?
Is it compatible with existing designs in my application?
What should I consider for proper installation?
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP111N15N3GXKSA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP200N15N3GXKSA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA105N15N3GXKSA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB200N15N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD530N15N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB072N15N3GATMA1
