Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB200N15N3GATMA1
- RS Stock No.:
- 754-5443
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB200N15N3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB176.45
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB188.802
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 12 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
- เพิ่มอีก 60 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- 5,766 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 01 มกราคม 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 248 | THB88.225 | THB176.45 |
| 250 - 498 | THB86.02 | THB172.04 |
| 500 + | THB84.695 | THB169.39 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 754-5443
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB200N15N3GATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 20mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.31mm | |
| Width | 9.45 mm | |
| Height | 4.57mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 20mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.31mm | ||
Width 9.45 mm | ||
Height 4.57mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP200N15N3GXKSA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB081N06L3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB072N15N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 7-Pin TO-263