Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 8.2 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP IRFTS8342TRPBF

RS Stock No.:: 827-4127
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFTS8342TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 8.2 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP IRFTS8342TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB580.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB620.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

4,700 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
50 - 700	THB11.603	THB580.15
750 - 1450	THB11.313	THB565.65
1500 +	THB11.139	THB556.95

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 827-4127
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFTS8342TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	8.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	TSOP
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	29mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.8nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.75 mm
	Height	1.3mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 8.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type TSOP
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 29mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.8nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.75 mm
	Height 1.3mm
	Standards/Approvals No
	Length 3mm
	Automotive Standard No

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 8.2 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP IRFTS8342TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง