Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 0.9 A, 150 V, 6-Pin TSOP-6

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB17,073.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB18,267.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB5.691THB17,073.00
6000 - 6000THB5.356THB16,068.00
9000 +THB5.021THB15,063.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
257-9289
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF5802TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

0.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

HEXFET

Package Type

TSOP-6

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

150mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the IR mosfet family of power mosfets utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as dc motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Industry standard surface mount power package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง