Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 0.9 A, 150 V, 6-Pin TSOP-6 IRF5802TRPBF
- RS Stock No.:
- 257-9289
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF5802TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB17,073.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB18,267.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB5.691 | THB17,073.00 |
| 6000 - 6000 | THB5.356 | THB16,068.00 |
| 9000 + | THB5.021 | THB15,063.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9289
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF5802TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 0.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | TSOP-6 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 150mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 0.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type TSOP-6 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 150mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the IR mosfet family of power mosfets utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as dc motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount power package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V, 6-Pin TSOP-6 IRF5802TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET -40 V, 6-Pin TSOP-6
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET -40 V, 6-Pin TSOP-6 IRF5803TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- Vishay Type P-Channel MOSFET 40 V, 6-Pin TSOP-6 SI3438DV-T1-GE3
- Vishay SQ3426CEEV N-Channel Single MOSFETs 60 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3426CEEV-T1_GE3
- Vishay SI3437DV Type P-Channel MOSFET -150 V, 6-Pin TSOP-6 SI3437DV-T1-GE3
- Vishay SI3483DDV Type P-Channel MOSFET -30 V, 6-Pin TSOP-6 SI3483DDV-T1-GE3