Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 900 mA, 150 V, 6-Pin TSOP-6 IRF5802TRPBF
- RS Stock No.:
- 257-9289
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF5802TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB17,073.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB18,267.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB5.691 | THB17,073.00 |
| 6000 - 6000 | THB5.356 | THB16,068.00 |
| 9000 + | THB5.021 | THB15,063.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9289
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF5802TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 900mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | TSOP-6 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 150mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 900mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type TSOP-6 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 150mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the IR mosfet family of power mosfets utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as dc motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount power package
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V, 6-Pin TSOP-6 IRF5802TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET -40 V, 6-Pin TSOP-6
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET -40 V, 6-Pin TSOP-6 IRF5803TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 6-Pin TSOP IRF5801TRPBF
- Vishay SI3437DV Type P-Channel MOSFET -150 V, 6-Pin TSOP-6 SI3437DV-T1-GE3
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP IRFTS8342TRPBF