Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 600 mA, 200 V Enhancement, 6-Pin TSOP IRF5801TRPBF

RS Stock No.:: 301-631
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF5801TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 600 mA, 200 V Enhancement, 6-Pin TSOP IRF5801TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB113.34

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB121.27

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 17,060 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB11.334	THB113.34
750 - 1490	THB11.05	THB110.50
1500 +	THB10.88	THB108.80

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 301-631
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRF5801TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	600mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	HEXFET
	Package Type	TSOP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.2Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.9nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.5 mm
	Length	3mm
	Standards/Approvals	No
	Height	0.9mm
	Distrelec Product Id	304-36-986
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 600mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series HEXFET
	Package Type TSOP
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.2Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.9nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.5 mm
	Length 3mm
	Standards/Approvals No
	Height 0.9mm
	Distrelec Product Id 304-36-986
	Automotive Standard No

N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 600 mA, 200 V Enhancement, 6-Pin TSOP IRF5801TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง