Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor, 120 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120P04P4L03ATMA1
- RS Stock No.:
- 826-9092
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB120P04P4L03ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB631.31
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB675.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 3,790 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | THB63.131 | THB631.31 |
| 250 - 490 | THB61.552 | THB615.52 |
| 500 + | THB60.606 | THB606.06 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 826-9092
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB120P04P4L03ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | Power Transistor | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | OptiMOS P | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 136W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 180nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 9.25 mm | |
| Height | 4.4mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 10mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type Power Transistor | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series OptiMOS P | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 136W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 180nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 9.25 mm | ||
Height 4.4mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 10mm | ||
Automotive Standard AEC-Q | ||
สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP120P04P4L03AKSA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD50P04P413ATMA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel Power Transistor 30 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD90P03P4L04ATMA1
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS P Type P-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80P04P407ATMA1