Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB17N25S3100ATMA1

RS Stock No.:: 826-9002
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB17N25S3100ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB17N25S3100ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB1,408.20

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,506.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

780 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 240	THB70.41	THB1,408.20
260 - 480	THB68.65	THB1,373.00
500 +	THB67.594	THB1,351.88

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 826-9002
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPB17N25S3100ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	17A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	250V
	Package Type	TO-263
	Series	OptiMOS-T
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	100mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd	107W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10mm
	Height	4.4mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 17A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 250V
	Package Type TO-263
	Series OptiMOS-T
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd 107W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 10mm
	Height 4.4mm
	Automotive Standard AEC-Q101

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

Infineon OptiMOS-T Series MOSFET, 250V Maximum Drain Source Voltage, 17A Maximum Continuous Drain Current - IPB17N25S3100ATMA1

This MOSFET is a surface‑mount N‑channel enhancement device designed for high‑voltage switching in automotive and industrial power systems. It operates across a wide temperature range and is intended for applications requiring robust thermal endurance and controlled switching performance without detailing its mechanical package or pin count.

Features and Benefits:

• 250V drain rating enabling high‑voltage switching capability
• 17A continuous drain current supporting substantial load currents
• 100 mΩ maximum RDS(on) reducing conduction losses in power stages
• 14 nC typical gate charge for efficient switching control
• 0.9V forward voltage lowering diode conduction drop
• 107W maximum power dissipation permitting high‑power operation

Applications

• Suitable for high‑voltage DC-DC converters in vehicles
• Ideal for motor‑drive half‑bridges in automotive electronics
• Used with power‑management modules in industrial supplies
• Can be used for switch‑mode power supply primary switches

What gate‑drive considerations should I make for switching performance?

Use a driver capable of delivering the gate charge within your targeted switching interval

the typical 14 nC charge lets you estimate peak gate current and switching losses for the chosen drive voltage.

How does the thermal environment affect continuous current capability?

The device’s 107W dissipation rating requires adequate PCB thermal design and heat‑sinking to maintain safe junction temperatures when carrying the specified 17A continuous current.

What protection limits apply to the device’s gate?

Ensure gate voltage remains within ±20V to avoid overstressing the gate oxide and consider transient suppression if exposed to inductive switching spikes.

How tolerant is the device to cold starts and high‑temperature operation?

It is specified to operate from low automotive temperatures up to elevated conditions, aiding use in systems experiencing broad ambient temperature swings.