Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET, 17 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 165-5608
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB17N25S3100ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB37,984.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB40,643.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB37.984 | THB37,984.00 |
| 2000 - 3000 | THB36.844 | THB36,844.00 |
| 4000 + | THB35.739 | THB35,739.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-5608
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPB17N25S3100ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 250V | |
| Series | OptiMOS-T | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 100mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 107W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.4mm | |
| Width | 9.25 mm | |
| Length | 10mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 250V | ||
Series OptiMOS-T | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 107W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.4mm | ||
Width 9.25 mm | ||
Length 10mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้
- COO (Country of Origin):
- CN
Infineon OptiMOS™T Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB17N25S3100ATMA1
- Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB50N12S3L15ATMA1
- Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263 IPB160N04S203ATMA4
- Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET 120 V Enhancement, 3-Pin TO-220
